拉比振荡被提出来描述暴露在振荡驱动场下的两级量子系统中的强耦合和群体转移。
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QL80S4HD-Y
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: QL80S4HD-YMOCVD grown 808 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure
概述
Quantum Semiconductor International的QL80S4HD-Y是一种激光二极管，波长为803至813 nm，输出功率为500 MW，工作电压为2.2至3 V，工作电流为550至700 mA.有关QL80S4HD-Y的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 803 to 813 nm
- 输出功率 / Output Power : 500 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 3 V
- 工作电流 / Operating Current : 550 to 700 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 100 to 200 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-400-1123nm半导体激光器Innolume GmbH
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- SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on C-Mount 1470nm 5W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- QFLD-795-50S半导体激光器QPhotonics
波长: 794.7 nm输出功率: 0 to 0.0505 W
来自Qphotonics的QFLD-795-50S是波长为794.7nm的激光二极管，输出功率为0至0.0505W，工作电压为1.89V，工作电流为0.13 5至0.148A，阈值电流为39mA.有关QFLD-795-50S的更多详细信息，请参阅下文。
- QLD-735-10S半导体激光器QPhotonics
波长: 734 nm输出功率: 0 to 0.01 W
来自Qphotonics的QLD-735-10S是波长为734nm的激光二极管，输出功率为0至0.01W，工作电压为1.95V，工作电流为0.075至0.075A，阈值电流为50mA.有关QLD-735-10S的更多详细信息，请参阅下文。
- LD-658-60-70-B-2半导体激光器OPELUS Technology Corporation
波长: 650 to 665 nm输出功率: 0.06 W
Opelus Technology Corporation的LD-658-60-70-B-2是波长为650至665nm、输出功率为0.06W、工作电压为2.5至2.8V、工作电流为105至115mA、阈值电流为50至65mA的激光二极管。有关LD-658-60-70-B-2的更多详细信息，请参阅下文。
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