紧凑型光子芯片的精确热控制：玻璃基板集成微热电冷却器（SimTEC）
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QL67D6S-A/B/C
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: QL67D6S-A/B/CMOCVD grown 670 nm band Gain-Guided type InGaAlP laser diode with quantum well structure
概述
来自Quantum Semiconductor International的QL67D6S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为44至70 mA的激光二极管。有关QL67D6S-A/B/C的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 660 to 680 nm
- 输出功率 / Output Power : 5 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 44 to 70 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 37 to 60 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
- 激光颜色 / Laser Color : Red
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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图片名称分类制造商参数描述
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