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QL65F6S-A/B/C

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL65F6S-A/B/CMOCVD grown 650 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

QL65F6S-A/B/C概述

来自Quantum Semiconductor International的QL65F6S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为50至70 mA的激光二极管。有关QL65F6S-A/B/C的更多详细信息,

QL65F6S-A/B/C参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 645 to 660 nm
  • 输出功率 / Output Power : 10 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.3 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 50 to 70 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 40 to 50 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

QL65F6S-A/B/C图片集

QL65F6S-A/B/C图1
QL65F6S-A/B/C图2

QL65F6S-A/B/C规格书

QL65F6S-A/B/C厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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