单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
Kryptronic Technologies的GCSLR-DUET-05-007是一款激光二极管,波长为808 nm,输出功率为7 MW,工作电压为2.2 V,工作电流为10 A.有关GCSLR-DUET-05-007的更多详细信息,
参数
图片集
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 10mW
FKLD-10S-788-60-DB-14是788nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-788-60-DB-14是一款CW单模注入半导体双光束激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。
波长: 1550 nm输出功率: 1.3 W
TO9-146-115是Seminex公司生产的波长为1550nm、输出功率为1.3W、工作电压为1.4V、工作电流为7A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关TO9-146-115的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 808 nm输出功率: 20 W
Northrop Grumman公司的ARR01C060是一个波长为808 nm的激光二极管,输出功率为20 W,工作电压为5.1 V,工作电流为25 A,阈值电流为8000 mA.有关ARR01C060的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 785 nm输出功率: 0.1 W
QD Laser的QLF073X是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.1 W,输出功率(CW)为0.1 W.有关QLF073X的更多详细信息,请参见下文。
波长: 975 nm输出功率: 8 W
来自Sheaumann Laser的CMC-975-8000-4xx是一款激光二极管,波长为975 nm,输出功率为8 W,工作电压为1.7至2.3 V,工作电流为10至11 A.有关CMC-975-8000-4xx的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此(图2),在这种情况下,两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中,能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
探索基于波导的增强现实显示器的进展