以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
![ML1344 半导体激光器](https://api.oe1.com/static-files/products/image/6983720041655586816.jpg)
ML1344
![获取报价](/img/icons/icon_quote_white.png)
![收藏](/img/icons/icon_collect.png)
![下载规格书](/img/icons/icon_certification_white.png)
更新时间:2023-12-05 17:06:35
概述
来自Modulight,Inc.的ML1344是波长为1290至1330nm、输出功率为0.3W、工作电压为1.3至2V、工作电流为700至750mA、阈值电流为40至60mA的激光二极管。有关ML1344的更多详细信息,
参数
- 应用行业 / Application Industry : Defense, Industrial, Communications
- 技术 / Technology : Fabry-Perot Laser (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 1290 to 1330 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.3 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.3 to 2 V
- 工作电流 / Operating Current : 700 to 750 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 40 to 60 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
相关产品
- LD635B5A14 635nm CW Laser Diodes半导体激光器Lasermate Group Inc
输出功率: 5mW
LaserMate Group,Inc.自豪地提供符合RoHS标准、低成本和高质量的标准激光二极管,其红光光谱范围为635nm至685nm,输出功率为5mW至700mW。我们的标准CW红外激光二极管采用多种封装,如TO-33(Φ3.3 mm)、TO-18(Φ5.6 mm)、TO-5(Φ9 mm)、TO3、C-mount、F-mount、引线框架和子安装芯片(COS),以及连接器化(尾纤和插座)封装。
- USHIO HL40071MG 405nm 300mW Violet Laser Diode半导体激光器The Optoelectronics Company Ltd
输出功率: 300mW
Ushio HL40071MG 405nm 300mW紫光激光二极管
- QFLD-685-15SAX半导体激光器QPhotonics
波长: 691 nm输出功率: 0 to 0.0151 W
来自Qphotonics的QFLD-685-15SAX是波长为691nm、输出功率为0至0.0151W、工作电压为2.65V、工作电流为0.11 3至0.113A、阈值电流为35mA的激光二极管。有关QFLD-685-15SAX的更多详细信息,请参阅下文。
- ARR115P1500半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 100 W
Northrop Grumman公司的ARR115P1500是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为100 W,工作电压为27 V,工作电流为95 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR115P1500的更多详细信息,请参阅下文。
- QL65I7S-A/B/C-H半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 645 to 665 nm输出功率: 35 mW
Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C-H是一种激光二极管,波长为645至665 nm,输出功率为35 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为40至110 mA.有关QL65I7S-A/B/C-H的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中,能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
探索基于波导的增强现实显示器的进展