ML1112

输出功率: 20mW

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

波长: 658nm输出功率: 5mW

LDM200系列激光二极管模块是高端应用的专用单元。光纤耦合设计允许电气和光学部分的灵活安装和分离。高质量的光学器件和精密调整可提供出色的光束质量和高达100米的超长准直距离。还可以提供定制的固定焦距。选择偏振（非偏振、线性或圆形）的选项是独特的，并且在计量应用中的测量再现性方面提供了许多优点。

波长: 830 nm

来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3110-830是波长为830 nm、输出功率为1280 MW（光纤）至1600 MW、输出功率为1280 MW（光纤）至1600 MW、工作电压为2 V、工作电流为1750 mA的激光二极管。有关LDX-3110-830的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 635 to 645 nm输出功率: 90 mW

索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的SLD1254JFR-V是一款激光二极管，波长为635至645 nm，输出功率为90 MW，工作电压为2.5至2.9 V，工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 395 to 415 nm输出功率: 0.3 W

D6-5-405-300是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为395至415nm，输出功率为0.3W，工作电压为4.6至5.5V，工作电流为0.28至0.43A，阈值电流为140至200mA.有关D6-5-405-300的更多详细信息，请参阅下文。