AF5B310DM50L

输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

输出功率: 5mW

FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付，内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

波长: 808 nm输出功率: 100 W

Northrop Grumman公司的ARR189P600是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为10.8 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR189P600的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 2217 nm输出功率: 0.003 W

来自Sacher Lasertechnik的DFB-2217-003是波长为2217 nm、输出功率为0.003 W、工作电流为65至120 mA、阈值电流为15至45 mA、输出功率（CW）为0.003 W的激光二极管。有关DFB-2217-003的更多详细信息，请参见下文。

波长: 3.90 to 4.20 µm输出功率: 1.2 W

来自Thorlabs的QF4050D3是一款单空间模式、4050 nm Fabry-Perot量子级联激光器，可提供高达1.2瓦的输出功率。该激光器在室温下以连续波（CW）模式工作。QF4050D3安装在开放式散热器D型安装封装上，阴极和阳极均与散热器底座隔离。这种分立半导体激光器是一种适用于许多应用的紧凑型光源。集成了一个热敏电阻，用于温度监控。没有监控光电二极管。