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激光组件905-系列可在905 nm波长下使用。它们高度可靠，具有出色的过驱能力，并且在外壳内非常精确的芯片对准下具有较佳的热稳定性。

输出功率: 1200mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 1063 to 1065 nm输出功率: 0.02 W

来自Nanoplus的DFB激光二极管-920 nm至1100 nm是波长为1063至1065 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为2 V、工作电流为0.05 A、阈值电流为15至30 mA的激光二极管。DFB激光二极管（920 nm至1100 nm）的更多详细信息见下文。

波长: 630 to 640 nm输出功率: 0.005 W

Blue Sky Research的VPSL-0635-005-X-5-A/B/E是波长为630至640 nm、输出功率为0.005 W、工作电压为2.2至2.7 V、工作电流为34至50 mA、阈值电流为30至40 mA的激光二极管。有关VPSL-0635-005-X-5-A/B/E的更多详细信息，请参见下文。