收藏 
下载规格书 将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
全部产品分类
概述
来自Anritsu Corporation的AF4B142FD75L是波长为1460至1490nm、输出功率为0.42W、工作电压为2.2V、阈值电流为180mA、输出功率（CW）为0.42W的激光二极管。关于AF4B142FD75L的更多细节可参见下文。
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1460 to 1490 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.42 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 180 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
安立公司在信息通信领域不断发展，开发各种通信系统和服务应用，为质量保证仪器和食品药品异物检测机、重量分选机、远程监控系统、带宽控制等提供必不可少的设备。在广泛的领域中，支撑着小康社会的安全与安心。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- PH808DBR Mercury Series半导体激光器Photodigm Inc.
输出功率: 40mW
808nm Mercury™系列高功率边发射激光器基于PhotoDigm先进的单频激光技术。它提供了衍射在紧凑的密封封装中有限的、单一的横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。应用程序包括移动耐用性和可靠性至关重要的光谱仪器。
- Sharp To18 5.6mm 405nm 350MW Violet Laser Diode JLD4035Z半导体激光器BeamQ Inc.
输出功率: 350mW
夏普TO18 5.6mm 405nm 350mW紫光激光二极管JLD4035Z夏普TO18 5.6mm 405nm 350mW紫色激光二极管JLD4035Z颜色：蓝紫色寿命：10000小时存储温度：-40~85度工作温度：0~50包装：TO18-5.6mm，规格：405nm 350mW 5.6mm特性：1.较短波长：405nm（典型值）2.高光输出功率：350mW CW3.小封装：5.6mm直径
- SLD432S半导体激光器Sony Semiconductor Solutions Corporation
波长: 805 to 811 nm输出功率: 40 W
SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为40 W，工作电压为1.9至2.8 V，工作电流为50至55 A，阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息，请参阅下文。
- BLD-650-14BF半导体激光器Nolatech
波长: 650 to 670 nm输出功率: 0.03 W
BLD-650-14BF是波长为650~670nm，输出功率为0.03W，工作电压为2.5V，工作电流为0.1~0.15A，阈值电流为20~40mA的激光二极管。有关BLD-650-14BF的更多详细信息，请参阅下文。
- ADL-63054SA4半导体激光器Laser Components
波长: 630 to 640 nm输出功率: 7 mW
Laser Components的ADL-63054SA4是一款自动功率控制（APC）可见激光二极管，工作波长为635 nm.它提供5mW的输出功率。这种AlGaInP激光二极管对高达10kV的静电放电不敏感，并在2.5至6.0VDC的电源电压下提供稳定的输出功率。它采用TO-CAN封装，是高精度测量仪器、勘测和工程仪器的理想选择。
相关文章
激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
麻省理工学院（MIT）的一项新研究发现，即使消除了来自外界的所有噪声，时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
Photodigm DBR 激光二极管结构与同类 DFB 设计的对比
Photodigm 系列高功率边缘发射分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管基于 Photodigm 专有的单一外延生长 DBR 激光结构。