半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
ld-10xx-fbg-400概述
来自Innolume的LD-10xx-FBG-400是一款激光二极管,波长为1020 nm,输出功率为0.4 W,工作电流为0.8至1 A,阈值电流为80至100 mA,输出功率(连续波)为0.4 W.有关LD-10xx-FBG-400的更多详细信息,
ld-10xx-fbg-400参数
- 技术 / Technology : Fiber-Bragg-Grating Laser (FBG)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1020 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.4 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.8 to 1 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 80 to 100 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InAs/GaAs
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
- 光纤长度 / Fiber length : 100 ± 20 cm
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ld-10xx-fbg-400厂家介绍
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近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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波长: 788.1 nm输出功率: 0 to 0.06 W
Qphotonics公司的QLD-790-60S是波长为788.1 nm的激光二极管,输出功率为0~0.06 W,工作电压为1.85 V,工作电流为0.099~0.109 A,阈值电流为40 mA.有关QLD-790-60S的更多详细信息,请参阅下文。
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波长: 1310 nm输出功率: 0.13 W
Thorlabs Inc的FPL1053P是一款激光二极管,波长1310 nm,输出功率0.13 W,工作电压0.35至3.5 V,工作电流0.4至0.5 A,输出功率(CW)0.13 W.FPL1053P的更多详情见下文。
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