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全部产品分类
概述
来自Innolume的GM-1030-150-YY-150是波长为1030nm、输出功率为0.15W、工作电流为0.4A、输出功率（CW）为0.15W、工作温度为20至30摄氏度的激光二极管。GM-1030-150-YY-150的更多细节可以在下面看到。
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1030 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.15 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.4 A
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- CW-RT-DFB-QC 965.7-973.3nm半导体激光器Alpes Lasers
输出功率: 20mW
在连续波中测量激光器。它们通常安装在结上，这意味着在焊盘上偏置为负，在底座上偏置为正。使用电源ILX LightWave LDX-3232或同等产品。
- TPGAx2S03H Pulsed Laser Diodes半导体激光器Excelitas Technologies
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
- QFBGLD-980-100U半导体激光器QPhotonics
波长: 981 nm输出功率: 0 to 0.1 W
Qphotonics公司的QFBGLD-980-100U是波长为981nm的激光二极管，输出功率为0~0.1W，工作电压为1.62V，工作电流为0.17 2~0.172A，阈值电流为20mA.有关QFBGLD-980-100U的更多详细信息，请参阅下文。
- EYP-DFB-0773-00075-1500-TOC03-0000半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 772 to 774 nm输出功率: 0.09 W
Toptica Eagleyard的EYP-DFB-0773-00075-1500-TOC03-0000是一款激光二极管，波长为772至774nm，输出功率为0.09W，工作电流为0.14至0.18A，阈值电流为70mA，输出功率（连续波）为0.09W.EYP-DFB-0773-00075-1500-TOC03-0000的更多详情见下文。
- ELD83NPT5半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 820 to 840 nm输出功率: 0.005 W
来自Roithner Lasertechnik的ELD83NPT5是波长为820至840nm的激光二极管，输出功率为0.005W，工作电压为2至2.3V，工作电流为0.03至0.045A，阈值电流为20至30mA.有关ELD83NPT5的更多详细信息，请参阅下文。
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光功率测量基础知识（Optical Power Measurement）
当光子击中光电二极管材料时，可能会产生电子-空穴对，这取决于器件的量子效率。
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