光功率测量基础知识（Optical Power Measurement）
当光子击中光电二极管材料时，可能会产生电子-空穴对，这取决于器件的量子效率。
全部产品分类
ADL-63102TL
立即咨询
获取报价
收藏 
下载规格书
获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-23 15:53:58
型号: ADL-63102TL
ADL-63102TL概述
Roithner Lasertechnik的ADL-63102TL是波长为630至640 nm的激光二极管，输出功率为0.01 W，工作电压为2.2至2.5 V，工作电流为0.04至0.055 A，阈值电流为20至40 mA.有关ADL-63102TL的更多详细信息，
ADL-63102TL参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 630 to 640 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.01 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.5 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.04 to 0.055 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 20 to 40 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaInP
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
ADL-63102TL图片集
ADL-63102TL规格书
ADL-63102TL厂家介绍
激光二极管、激光模块、LED、光电二极管、光学器件和相关配件的供应商。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- HL6501MG AlGaInP Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 30mW
HL6501mg AlGaInP激光二极管。
- LDX-3110-1550: 1550nm Multimode Diode Laser半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 1500mW
该1550nm红色二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生1500mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生1200mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Chip 1315nm 0.59W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 590mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- APA4501010001半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 1.5 to 2.2 mW
来自II-VI Incorporated的APA4501010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010001的更多详细信息，请参阅下文。
- DFB-0773-075半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 772 to 773 nm输出功率: 0.075 to 0.1 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-0773-075是一种激光二极管，波长为772至773 nm，输出功率为0.075至0.1 W，工作电流为85至120 mA，阈值电流为70 mA，输出功率（CW）为0.075至0.1 W.DFB-0773-075的更多详情见下文。
相关文章
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
光学参数振荡器optical parametric oscillator（OPO）是一种像激光一样的相干光源，但使用的是非线性晶体中的光学放大过程，而不是受激发射。由于
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。