DFB-2300-002

波长: 808nm输出功率: 100000mW

编号：8808-0024产品描述：808nm，100W，200µm不可拆卸光纤耦合模块

输出功率: 47mW

对于那些需要先进温度稳定性的应用，仪器质量（IQ）系列具有精密电流源和比例积分微分（PID）环路来控制热电冷却器输出。这种卓越的温度控制使我们的IQ单元成为较苛刻应用的理想选择，包括共焦显微镜、干涉测量、拉曼光谱和流式细胞术。IQ系列模块可为9mm或5.6mm激光二极管提供高达1000mA的驱动电流，并可在恒流或自动功率控制模式下工作。每一个都允许对温度和驱动电流参数进行DVM兼容监控。IQ1C可通过微透镜二极管实现椭圆光束或圆形光束。我们的IQ2C也是可用的，它集成了变形校正棱镜以产生圆形光束。IQ1A可提供高达30MHz的模拟波束调制。我们的IQ2A也是可用的，它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。IQ1H可提供高达150MHz的数字调制。我们的IQ2H也是可用的，它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。PID温度控制回路和精密电流源连续波（CW）和数字或模拟调制选项圆形或椭圆形光束超稳定波长和输出功率

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 961.6 nm输出功率: 0 to 0.1498 W

来自Qphotonics的QLD-960-150S是波长为961.6nm的激光二极管，输出功率为0至0.1498W，工作电压为1.52V，工作电流为0.17 1至0.188A，阈值电流为34mA.有关QLD-960-150S的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 630 to 640 nm输出功率: 0.015 W

Ushio公司的HL6322G是波长为630至640nm、输出功率为0.015W、工作电压为2.7V、工作电流为0.085至0.1A、阈值电流为20至70mA的激光二极管。有关HL6322G的更多详细信息，请参阅下文。