在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
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RED 640 8W
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-12-29 09:52:19
型号: RED 640 8WRED LASER DIODE BAR - 640 NM
RED 640 8W概述
来自Laser Components的Red 640 8W是一个激光二极管，波长为635、638、642 nm，输出功率为8 W，输出功率为8 W，工作电压为3 V，工作电流为14 A.Red 640 8W的更多详情见下文。
RED 640 8W参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 输出功率 / Output Power : 8 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 3 V
- 工作电流 / Operating Current : 14 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 3.5 A
- 激光颜色 / Laser Color : Red
- 数值孔径 / Numerical Aperture : 0.22, 0.39
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode (Option)
RED 640 8W图片集
RED 640 8W规格书
RED 640 8W厂家介绍
在激光组件中，稳定性、连续性和以长期成功为目标的决策与动态性、灵活性、浅层次结构和短决策过程相结合。在家族企业中，这不是矛盾，而是两代人和谐合作，带领公司走向未来的结果。
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图片名称分类制造商参数描述
- 14 Pin Single-mode 940nm - 200mW Butterfly Module半导体激光器Sheaumann Laser, Inc.
波长: 940nm输出功率: 200mW
Sheaumann'的蝶形模块采用内部TEC、热敏电阻和光电二极管进行电气隔离和密封。蝶形模块是工业或商业用途的理想选择，但也可针对军事应用进行定制，并提供可选的反向电流保护。Sheaumann的专有激光芯片设计提供了无与伦比的质量和长寿命。波长发射范围780-1070nm。有许多光纤耦合选项可用。
- FDL-890-2W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- LASER DIODE FIDL-50S-940X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FIDL-50S-940X是用MOCVD半导体激光器制备的940nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-940X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- LASER DIODE FOLD-640-32S-VBG半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 32mW
FOLD-640-32S-VBG是单模半导体激光器在640nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。
- MLSA-840-007 Laser Diode Module半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 0.7mW
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