单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
来自半导体器件的氦气是一种激光二极管,其波长为808至975 nm,输出功率高达9 W,工作电流为11 A,输出功率(CW)高达9 W.氦气的更多详情见下文。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 100mW
Cobolt 04-01系列激光器是连续波二极管泵浦激光器(DPL),工作波长在457 nm和1064 nm之间。这些激光器采用专有的HTCure™制造技术制造,在紧凑的密封封装中具有超高的坚固性,该封装已被证明可承受操作中的60G机械冲击以及极端存储温度冲击(-30至>100摄氏度),而不会出现任何性能下降的迹象。激光器发射非常高质量的激光束,在宽范围的操作条件下具有稳定的特性。单频操作提供了窄的光谱带宽和长的相干长度。激光器的设计和制造确保了高水平的可靠性。
波长: 808nm输出功率: 2000mW
特点:•120 W QCW的高光输出功率•纤芯直径:600μm(NA 0.22)•集成式先导激光器和功率监控器•长寿命>1GShot,高可靠性
输出功率: 200mW
FKLD-200M-808-40X-TM-B是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-200M-808-40X-TM-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光适合应用于固体激光泵浦、医疗应用和其它光电系统中。
波长: 650 nm输出功率: 0.5 W
来自Frankfurt Laser Company的FBLD-650-0.50-HHL是波长为650 nm、输出功率为0.5 W、工作电压为2.2 V、阈值电流为800至800 mA、输出功率(CW)为0.5 W的激光二极管。有关FBLD-650-0.50-HHL的更多详细信息,请参见下文。
波长: 830 nm
105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出(FC/PC按需提供)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
拉比振荡被提出来描述暴露在振荡驱动场下的两级量子系统中的强耦合和群体转移。
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。