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SES8-808A-01 半导体激光器

SES8-808A-01

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美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-07 09:41:48

型号: SES8-808A-018W 808nm 190µm High Power Single Emitter Laser Diode on Submount

概述

SES8-808A/B/C-01单发射激光二极管被设计用于提供高输出功率、高耦合效率和高可靠性,适用于固态激光泵浦和直接激光应用。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 806 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 V
  • 工作电流 / Operating Current : 8 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1.2 A
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 输出功率 / CW Output Power : 8W
  • 中心波长 / Center Wavelength SES8-808A-01 : 806±3nm
  • 中心波长 / Center Wavelength SES8-808B-01 : 803±3nm
  • 中心波长 / Center Wavelength SES8-808C-01 : 808±2.5nm
  • 光谱半高宽(FWHM) / Spectral Width (FWHM) : 2nm
  • 波长随温度变化 / Wavelength Shift With Temperature : 0.3nm/°C
  • 结合处平行光束发散角 / Beam Divergence Parallel To Junction : 6deg
  • 结合处垂直光束发散角 / Beam Divergence Perpendicular To Junction : 32deg
  • 偏振 / Polarization : TE
  • 阈值电流 / Threshold Current : 1.2A
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.1W/A
  • 转换效率 / Conversion Efficiency : 50%
  • 串联电阻 / Series Resistance : 0.03Ω
  • 工作电流 / Operating Current : 8A
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9V
  • 芯片宽度 / Chip Width : 500µm
  • 谐振器长度 / Resonator Length : 3600µm
  • 芯片厚度 / Chip Thickness : 150µm
  • 发射器宽度 / Emitter Width : 190µm

应用

1.固态激光泵浦 2.医疗 3.分析 4.打印

特征

1.3.6mm x 0.5mm激光二极管 2.190μm宽发射器 3.8W工作功率(p-side down mounted) 4.高度可靠的单量子阱MBE结构 5.RoHS兼容

规格书

厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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