全部产品分类
IND02LA00D102 半导体激光器

IND02LA00D102

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-06 15:54:38

型号: IND02LA00D1021300nm 28 Gb/s NRZ DFB Laser Diode Chip

IND02LA00D102概述

这是一款用于未冷却28 Gb/s NRZ光纤通信链接的DFB激光二极管芯片,具有优良的可靠性和性能,符合RoHS标准,可在-20°C至95°C温度范围内工作。

IND02LA00D102参数

  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 1269.23 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Treshold Current : 85°C 11-17mA, 25°C 5mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 85°C 0.1-0.2W/A
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : SE0C/SE85C 4
  • 饱和电流 / Saturation Current : 85°C 80-100mA
  • 工作电压 / Operating Voltage : Po=5mW 1.6V
  • 差分电阻 / Differential Resistance : Po=5mW, 85°C 7-10Ohm
  • 电容 / Capacitance : 1.2pF
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : Pf/Pb 7-60
  • 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : Po=5mW 35dB
  • 波长 / Wavelength : 见下表
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : dλ/dt 0.09nm/°C
  • 热阻 / Thermal Impedance : Zth 140K/W
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : ΘH FWHM 30degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : ΘV FWHM 35degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : Po=5mW -132dB/Hz1/2
  • 带宽 / Bandwidth : I=60mA, 85°C 18-21GHz
  • 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : I=60mA, 85°C 15.5-17.5GHz

IND02LA00D102应用

1.光纤通信链接
2.千兆以太网和存储区域网络
3.5G无线前传数据链路

IND02LA00D102特征

1.设计用于未冷却28 Gb/s NRZ
2.RoHS兼容
3.工作温度范围-20°C至95°C
4.可用波长
5.按照GR-468标准进行了认证,用于非密封包装
6.优良的可靠性
7.顶部阳极和背面阴极配置

IND02LA00D102规格书

IND02LA00D102厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    HL63142DG AlGaInP Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 120mW

    HL63142DG AlGaInP半导体激光器

  • 光电查
    HL63391DG LASER DIODE半导体激光器World Star Tech

    输出功率: 200mW

    Ushio Opto Semiconductor(USHIO/OPNEXT激光二极管)提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G(1000mW,405nm)紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG,这是Ushio的一款新型单模405nm二极管,较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率,可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管,可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外,还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性,这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模和9 mm封装。HL63391DG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL63391DG是工业和投影应用的理想选择,要求可靠的操作,具有长寿命和稳定的输出功率。

  • 光电查
    Seminex Fiber-coupled High Power IR Multi-Mode Laser 1555nm 15W半导体激光器FrankFurt Laser Company

    波长: 1555nm输出功率: 15000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 光电查
    Seminex High Power Multi-Mode Laser Bar 1470nm 25W半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 25000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 光电查
    TO9-132半导体激光器SemiNex Corporation

    波长: 1525 nm输出功率: 1.7 W

    TO9-132是Seminex公司生产的波长为1525nm,输出功率为1.7W,工作电压为1.4V,工作电流为7A,阈值电流为500mA的半导体激光器。有关TO9-132的更多详细信息,请参阅下文。

相关文章