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IND02B100D104 半导体激光器

IND02B100D104

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美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-06 15:29:35

型号: IND02B100D1041300nm 28 Gb/s NRZ I-temperature DFB Laser Diode Chips

IND02B100D104概述

用于未冷却的28 Gb/s NRZ操作的DFB激光二极管芯片,设计用于非密封封装,具有优异的可靠性,并符合GR-468标准。

IND02B100D104参数

  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 输出功率 / Output Power : 5.5 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 19 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Threshold Current : 85°C 11-19mA, 25°C 5mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : SE0C/SE85C 4
  • 平均偏置电流 / Average Bias Current : BOL 60mA, EOL 72mA
  • 工作电压 / Operating Voltage : P=5mW 1.6V
  • 差分电阻 / Differential Resistance : P=5mW 7-10Ohm
  • 调制波特率 / Modulation Baud Rate : 25Gb/s
  • 输出光功率 / Output Optical Power : 60mA 5.5mW
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : Pf/Pb 5.3-35
  • 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : DC bias current: Ith+5mA to 60mA 30dB
  • 中心波长 / Center Wavelength : 见下表。
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : θH FWHM 30-40degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : θV FWHM 35-50degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise (RIN) : RIN -132dB/Hz1/2
  • 失真 / Kink : Ith+5mA ~ 90mA 15%
  • 带宽 / Bandwidth : f3dB I=60mA 18-20GHz

IND02B100D104应用

1.光纤通信链路;2.千兆以太网和存储区域网络;3.5G无线前传数据链路。

IND02B100D104特征

1.适用于-40到90°C的温度范围;2.顶部阳极和背面阴极配置;3.符合RoHS环保标准;4.可选波长为1270nm, 1310nm, 1330nm。

IND02B100D104规格书

IND02B100D104厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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