单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
Ushio公司的HL63163DG是波长为630至636 nm的激光二极管,输出功率为0.1 W,工作电压为2.6至3 V,工作电流为0.17至0.23 A,阈值电流为70至100 mA.有关HL63163DG的更多详细信息,
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
波长: 940nm输出功率: 70000mW
光纤耦合大功率激光二极管
输出功率: 2mW
紫蓝色二极管激光器。
波长: 658nm输出功率: 5mW
LDM200系列激光二极管模块是高端应用的专用单元。光纤耦合设计允许电气和光学部分的灵活安装和分离。高质量的光学器件和精密调整可提供出色的光束质量和高达100米的超长准直距离。还可以提供定制的固定焦距。选择偏振(非偏振、线性或圆形)的选项是独特的,并且在计量应用中的测量再现性方面提供了许多优点。
输出功率: 30mW
SLD-340-HP-TO56-PD-850:850 nm高功率TO-56封装自由空间SLD。
波长: 830 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3110-830是波长为830 nm、输出功率为1280 MW(光纤)至1600 MW、输出功率为1280 MW(光纤)至1600 MW、工作电压为2 V、工作电流为1750 mA的激光二极管。有关LDX-3110-830的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。
麻省理工学院(MIT)的一项新研究发现,即使消除了来自外界的所有噪声,时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
锥形光纤是提供高能量、高光束质量的超快激光器的潜在器件