半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
概述
CS-101是Seminex公司生产的波长为1470nm,输出功率为20W,工作电压为1.3V,工作电流为60A,阈值电流为10000mA的半导体激光器。有关CS-101的更多详细信息,
参数
- 应用行业 / Application Industry : Military, Space, Medical
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1470 nm
- 输出功率 / Output Power : 20 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.3 V
- 工作电流 / Operating Current : 60 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 10000 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InP
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- LASER DIODE FIDL-50M-905X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FIDL-50M-905X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- EYP-DFB-0852-00100-1500-BFW01-000x半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 852 nm输出功率: 0.02 to 0.1 W
Toptica Eagleyard的EYP-DFB-0852-00100-1500-BFW01-000X是一款激光二极管,波长852 nm,输出功率0.02至0.1 W,工作电压0.8 V,阈值电流70 mA,输出功率(CW)0.02至0.1 W.有关EYP-DFB-0852-00100-1500-BFW01-000X的更多详细信息,请参见下文。
- ARR181P2000半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 100 W
Northrop Grumman公司的ARR181P2000是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为36 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR181P2000的更多详细信息,请参阅下文。
- LD-0785-0100-DFB-2半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 784.7 nm输出功率: 0.1 W
Toptica Photonics的LD-0785-0100-DFB-2是一款激光二极管,波长为784.7 nm,输出功率为0.1 W,输出功率(CW)为0.1 W.有关LD-0785-0100-DFB-2的更多详细信息,请参见下文。
- FB-M1260-500HF半导体激光器Fibercom Ltd.
波长: 1260 nm输出功率: 500 mW
Fibercom公司的FB-M1260-500HF是波长为1260nm,输出功率为500mW,工作电压为1.2V,工作电流为2750mA的激光二极管。有关FB-M1260-500HF的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。