由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。
概述
C-109是美国Seminex公司生产的波长为1532nm、输出功率为4.2W、工作电压为1.7V、工作电流为14A、阈值电流为450mA的半导体激光器。C-109的更多细节可以在下面看到。
参数
- 应用行业 / Application Industry : Military, Space, Medical
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1532 nm
- 输出功率 / Output Power : 4.2 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.7 V
- 工作电流 / Operating Current : 14 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 450 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InP
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- LASER DIODE FIDL-1000M-808X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- Laser For Raman Spectroscopy 785nm半导体激光器Flash Photonics
波长: 785nm输出功率: 500mW
我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm,功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择,包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Bar 1470nm 25W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 25000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- S27-xxxx-320半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.46 W
Lumentum Operations LLC的S27-XXXX-320是一款激光二极管,波长为980 nm,输出功率高达0.46 W,工作电压为1.31 V,工作电流为690 mA,阈值电流为42 mA.有关S27-XXXX-320的更多详细信息,请参阅下文。
- FB-S1600-40SOT148半导体激光器Fibercom Ltd.
波长: 1600 nm输出功率: 40 mW
Fibercom Ltd.的FB-S1600-40SOT148是波长为1600 nm的激光二极管,输出功率为40 MW,工作电压为0.8 V,工作电流为250 mA.有关FB-S1600-40SOT148的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
初创公司Baraja为汽车应用提供制造 "随机调制连续波 "传感器所需的芯片
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
二极管泵浦固体(DPSS)激光器是用激光二极管泵浦的固体激光器。