单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
Seminex公司的15P-101是波长为1470nm,输出功率为5.4W,工作电压为1.6V,工作电流为16A,阈值电流为700mA的半导体激光器。有关15P-101的更多详细信息,
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波长: 905 nm输出功率: 0 to 56 W
Toptica Eagleyard的EYP-BAL-0905-00050-1040-TOE22-0010是一款激光二极管,波长905 nm,输出功率0至56 W,工作电流70至78 A,阈值电流0至3000 mA,输出功率(CW)0至56 W.EYP-BAL-0905-00050-1040-TOE22-0010的更多详情见下文。
波长: 630 to 643 nm输出功率: 0.025 W
Ushio公司的HL6360MG是波长为630至643nm的激光二极管,输出功率为0.025W,工作电压为2.3至2.5V,工作电流为0.065至0.08A,阈值电流为45至60mA.有关HL6360MG的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 808 nm输出功率: 200 W
Northrop Grumman公司的ARR134P1600是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为16 V,工作电流为175 A,阈值电流为15000 mA.有关ARR134P1600的更多详细信息,请参阅下文。
输出功率: 180 to 230 mW
Thorlabs Inc生产的FPL808P是一款激光二极管,波长为798 nm、808 nm、818 nm,输出功率为180至230 MW,工作电流为600至650 mA,输出功率为180至230 MW,工作电流为600至650 mA.有关FPL808P的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 650 to 660 nm输出功率: 0.12 to 0.13 W
Opelus Technology Corporation的LD-655-12A-60-B-2是波长为650至660nm的激光二极管,输出功率为0.12至0.13W,工作电压为2.5至3V,工作电流为170至180mA,阈值电流为55至75mA.有关LD-655-12A-60-B-2的更多详细信息,请参阅下文。
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