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下载规格书 在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中，能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
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概述
Macom的131D-02E-KCT11（B）是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-20至85摄氏度。有关131D-02E-KCT11（B）的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1310 nm
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
规格书
厂家介绍
Macom为数据中心、电信、工业和国防应用设计和制造半导体产品。Macom总部位于马萨诸塞州洛厄尔，在北美、欧洲和亚洲设有设计中心和销售办事处。Macom通过了ISO9001国际质量标准和ISO14001环境管理标准认证。Macom拥有超过65年的应用专业知识，在北美、欧洲和亚洲拥有多个设计中心、硅、砷化镓和磷化铟制造、制造、组装和测试以及运营设施。点击此处查看我们的设施。此外，Macom还提供代表我们业务中关键核心竞争力的铸造服务。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- COMPACT-808 LASER DIODE MODULE半导体激光器World Star Tech
输出功率: 50-500mW
紧凑的触摸屏，是一个用户控制的激光系统，在一个紧凑的封装中集成了激光和控制电子设备。内置触摸屏显示激光操作参数，并可轻松快速地手动更改激光操作条件。紧凑型触摸屏允许用户设置激光功率、温度，扫描激光功率，并使用高达50kHz的内置内部函数发生器调制激光。外部调制高达1MHz，具体取决于波长/功率组合。Compact具有出色的光束质量、功率稳定性、温度控制和低噪声特性，适用于要求苛刻的应用。
- DL-CLS101B-S1550 Ultra Narrow Linewidth Laser半导体激光器DenseLight Semiconductors
输出功率: 10mW
DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于专有的外腔激光器设计，采用内置光纤布拉格光栅，提供非常稳定的激射波长性能、窄光谱线宽和出色的SMSR。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。典型连续输出功率可达20mW，脉冲功率可达50mW。定制型号可提供更高的输出功率。
- QLD-780-80S半导体激光器QPhotonics
波长: 782.1 nm输出功率: 0 to 0.0805 W
Qphotonics公司的QLD-780-80S是波长为782.1nm的激光二极管，输出功率为0~0.0805W，工作电压为1.98V，工作电流为0.12 6~0.139A，阈值电流为42mA.有关QLD-780-80S的更多详细信息，请参阅下文。
- DFB laser diodes - 1850 nm to 1900 nm半导体激光器nanoplus
波长: 1876 to 1878 nm输出功率: 0.01 W
来自Nanoplus的DFB激光二极管-1850 nm至1900 nm是波长为1876至1878 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2 V、工作电流为0.1 A、阈值电流为20至65 mA的激光二极管。DFB激光二极管（1850nm至1900nm）的更多详细信息可在下面看到。
- CM01-1-1470半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 1470 nm输出功率: 1 W
CM01-1-1470是阿波罗仪器公司（Apollo Instruments，Inc.）生产的波长为1470nm、输出功率为1W、工作电压为1.3V、工作电流为2.7A、阈值电流为350mA的激光二极管。有关CM01-1-1470的更多详细信息，请参阅下文。
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