以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
概述
Meshtel公司的MLD785-50S5C是一种激光二极管,波长为775至795nm,输出功率为0.05W,工作电压为2至2.8V,工作电流为0.075至0.1A,阈值电流为25至40mA.有关MLD785-50S5C的更多详细信息,
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 775 to 795 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.05 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 to 2.8 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.075 to 0.1 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 25 to 40 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs or AlGaInP
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- HL7001MG LASER DIODE半导体激光器World Star Tech
输出功率: 50mW
Ushio Opto Semiconductor(USHIO/OPNEXT激光二极管)提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G(1000mW,405nm)紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG,这是Ushio的一款新型单模405nm二极管,较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率,可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管,可用作光学仪器的光源,Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外,还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性,这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL7001MG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL7001MG是要求可靠运行的工业和医疗应用的理想选择,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。
- OEDLS-FC-100 Fiber Coupled Diode Laser Sources半导体激光器O/E Land Inc.
波长: 2000nm输出功率: 20000mW
O/E Land Inc.提供全系列光纤耦合二极管激光源。光纤耦合半导体激光器光源已广泛应用于传感器、仪器仪表、生物医学等行业。耦合光纤可以是单模、多模或PM光纤。从UV到中红外波长范围都有现成的和定制的解决方案。我们的光纤耦合二极管激光源配有三种不同的外壳。通过使用我们的新耦合技术,我们的光纤耦合二极管激光源具有高耦合效率、易于调整、高稳定性和长期可靠性。
- LDX-3130-635半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 635 nm
RPMC Lasers Inc.的LDX-3130-635是一种激光二极管,波长为635 nm,输出功率为960 MW(光纤)至1200 MW,输出功率为960 MW(光纤)至1200 MW,工作电压为2.2 V,工作电流为2900 mA.有关LDX-3130-635的更多详细信息,请参阅下文。
- LDX-3510-1370半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1370 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3510-1370是波长为1370 nm、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、工作电压为1.6 V、工作电流为10800 mA的激光二极管。有关LDX-3510-1370的更多详细信息,请参阅下文。
- NDV7375半导体激光器Nichia Corporation
波长: 400 to 405 nm输出功率: 1.2 W
NDV7375是一种激光二极管,其波长为400~405nm,输出功率为1.2W,工作电压为4.1V,工作电流为1.1A,阈值电流为150~400mA.有关NDV7375的更多详细信息,请参阅下文。
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