在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000
更新时间:2023-02-23 15:55:14
概述
Toptica Eagleyard的EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.02至0.08 W,阈值电流为70 mA,输出功率(连续波)为0.02至0.08 W,工作温度为15至40摄氏度。有关EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000的更多详细信息,
参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 785 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.02 to 0.08 W
- 阈值电流 / Threshold Current : 70 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : GaAs
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
图片集
规格书
厂家介绍
相关产品
- FP Laser Diode 935nm 35mW FNPL-35S-935-FP半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 35mW
FNPL-35S-935-FP是工作波长为935nm的连续半导体激光二极管。它采用标准TO-5.6和TO-9封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和蝶形封装。可根据要求提供CustomMounts。
- LU1064M450 1064nm Laser Module, Seed Laser半导体激光器Lumics GmbH
波长: 1064nm输出功率: 450mW
单模光纤尾纤激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。通过我们正在申请专利的创新技术,实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的,以实现可追溯性,并与一组指定的测试数据一起装运。
- ISV850-004半导体激光器ISOCOM Limited
波长: 840 to 870 nm输出功率: 0.004 W
ISOCOM的ISV850系列是2D VCSEL激光二极管,专为手势识别和3D相机应用而设计。这些激光二极管封装在TO-46罐中,带有2D VCSEL,能够在室温下提供超过500mW的CW功率。预期用途为短电脉冲(<10ns)和低占空比(<1%),峰值功率可达10W.在脉冲操作中,2D阵列发射高斯形状的光束,并且能够具有小于1纳秒的上升和下降时间。
- D6-7-650-30-P半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 650 nm输出功率: 0 to 0.03 W
D6-7-650-30-P是EGISMOS技术公司的激光二极管,其波长为650nm,输出功率为0至0.03W,工作电压为2.4至3V,工作电流为65至100mA,阈值电流为35至50mA.有关D6-7-650-30-P的更多详细信息,请参阅下文。
- AF4B120ED75L半导体激光器Anritsu Corporation
波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.2 W
来自Anritsu Corporation的AF4B120ED75L是波长为1460至1490 nm、输出功率为0.2 W、工作电压为2 V、阈值电流为70至150 mA、输出功率(CW)为0.2 W的激光二极管。有关AF4B120ED75L的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
用于物体分类任务的轨道-角动量编码衍射网络
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
激光气体分析仪可进行高灵敏度和高选择性的气体检测。这种检测方法的多组分能力和宽动态范围有助于分析浓度范围较宽的混合气体。由于这种方法无需进行样品制备或预浓缩,因此易于在实验室或工业中采用。