由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。
QDFBLD-1550-5
更新时间:2024-01-04 10:43:44
概述
来自Qphotonics的QDFBLD-1550-5是波长为1553nm、输出功率为0至0.005W、工作电压为1.23V、工作电流为0.065至0.072A、阈值电流为17mA的激光二极管。有关QDFBLD-1550-5的更多详细信息,
参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback Laser (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 1553 nm
- 输出功率 / Output Power : 0 to 0.005 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.23 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.065 to 0.072 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 17 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- LASER DIODE FLO-520 # 540 1550nm 0.04W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 40mW
FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。
- LDX-2410-635: 635nm 320mW Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 320mW
该635nm红色二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生400mW,或者从光纤耦合封装中的光纤产生320mW。它具有低阈值电流和高斜率效率,这导致了增强可靠性的低工作电流。
- QFBGLD-1220-350半导体激光器QPhotonics
波长: 1220.4 nm输出功率: 0 to 0.3504 W
Qphotonics公司的QFBGLD-1220-350是波长为1220.4nm的激光二极管,输出功率为0~0.3504W,工作电压为1.68V,工作电流为1.14 9~1.264A,阈值电流为116mA.有关QFBGLD-1220-350的更多详细信息,请参阅下文。
- QLD1261-4005半导体激光器QD Laser
波长: 1240 nm输出功率: 10 mW
QD Laser的QLD1261-4005是一款分布反馈(DFB)激光二极管,工作峰值波长为1240 nm.它的光输出功率为10 MW,偏振消光比为20 dB.该激光二极管具有集成的光隔离器、监视器PD和热电冷却器。它需要7 mA的阈值电流,并且具有高达2 V的反向电压。该激光二极管消耗50 mA的电流。该器件采用14引脚蝶形封装,带尾纤和TEC,是传感、测试和测量应用的理想选择。
- 808LD-5-0-0半导体激光器AeroDIODE
波长: 808 nm
在200/220/250µm多模激光二极管(NA=0.22)中,高功率激光二极管在808 nm处发射高达100 W的功率。裸光纤输出。
相关文章
麻省理工学院(MIT)的一项新研究发现,即使消除了来自外界的所有噪声,时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
激光二极管在太空应用中已使用多年。 它们的主要用途是作为固态激光器的泵浦,并为这些应用开发了鉴定方法。