单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2024-01-04 10:43:44
概述
QDFBLD-1310-20DIL是一款波长为1310nm的激光二极管,输出功率为0~0.0198W,工作电压为1.25V,工作电流为0.06 4~0.07A,阈值电流为8mA.有关QDFBLD-1310-20DIL的更多详细信息,
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 50mW
QLD1161-8030是一款1180-nm分布式反馈(DFB)激光器,用于科学和工业应用。该激光器采用14针蝶形封装,带有光隔离器、监视器PD和热电冷却器。
输出功率: 130mW
850L-1xA是Integrated Optics的850 nm低噪声二极管激光器。IO Matchbox系列包括单模激光二极管模块,在超紧凑的“一体化”驱动器集成激光头中提供卓越的性能和可靠性。850L-1xA标配内部电压上转换,允许使用5V电源,同时保持低噪声工作。Matchbox系列激光二极管模块的单片设计包括密封外壳中的热稳定光学器件,确保可靠和免维护操作。所有Matchbox系列模块都包括12个月的保修,并符合RoHS标准。850L-11A是自由空间版本,其他版本根据零件号中的变量X提供。以下是850L-1xA可用的自由空间和光纤耦合输出类型:(“X”定义模块的输出类型)。
波长: 830 nm输出功率: 50 mW
Intense 4050是Intense Limited公司生产的波长为830nm、输出功率为50mW、工作电压为2.5V、工作电流为80mA的半导体激光器。有关Intense 4050的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 775 to 795 nm输出功率: 0.1 to 0.22 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT785-100MGS是一种激光二极管,波长为775至795nm,输出功率为0.1至0.22W,工作电压为2至2.5V,工作电流为0.14至0.16A,阈值电流为35至55mA.有关RLT785-100MGS的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 1260 to 1670 nm输出功率: 0.005 to 0.01 W
来自Denselight Semiconductors的CLS051B-S1260是一款激光二极管,波长为1260至1670 nm,输出功率为0.00 5至0.01 W,工作电压为0至2.5 V,工作电流为0至2.5 A,输出功率(CW)为0.00 5至0.01 W.有关CLS051B-S1260的更多详细信息,请参见下文。
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