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输出功率: 450mW

Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL63253MG激光二极管具有多模式和5.6 mm封装。HL63253MG是工业和投影应用的理想选择，要求可靠的操作、较长的使用寿命和稳定的输出功率。

输出功率: 40mW

FOLD-406-40S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 1621 nm输出功率: 0 to 0.01 W

Qphotonics公司的QLD-1620-10S是波长为1621nm的激光二极管，输出功率为0~0.01W，工作电压为1.12V，工作电流为0.092~0.092A，阈值电流为46mA.有关QLD-1620-10S的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 406 nm输出功率: 0.02 W

Thorlabs Inc的LP406-SF20是一款激光二极管，波长406 nm，输出功率0.02 W，工作电压4.8至6.5 V，工作电流0.075至0.1 A，输出功率（CW）0.02 W.LP406-SF20的更多详情见下文。