光电二极管的响应时间是指光电二极管对入射光强度变化产生可检测的电子响应所需的时间。
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LNJ826W83RA
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-01-06 15:08:00
型号: LNJ826W83RASurface Mounting Chip LED
LNJ826W83RA概述
松下公司的LNJ826W83RA是一款LED，正向电压为1.9至2.1 V，正向电流为20 mA，发光强度CD为0.01 15至0.0473 CD，发光强度MCD为11.5至47.3 MCD，反向电流为100µA.有关LNJ826W83RA的更多详细信息，
LNJ826W83RA参数
- 颜色 / Colors : Orange
- RoHS / RoHS : Yes
- 正向电压 / Forward Voltage : 1.9 to 2.1 V
- 正向电流 / Forward Current : 20 mA
- 波长 / Wavelength : 615 to 627 nm
LNJ826W83RA规格书
LNJ826W83RA厂家介绍
该公司较初成立于1918年，当时名为松下电器制作所。1935年，该公司被合并为松下电器产业株式会社。2008年，公司更名为松下公司。
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图片名称分类制造商参数描述
- LNJ212R82RA发光二极管Panasonic Corporation
波长: 645 nm
松下公司的LNJ212R82RA是一款LED，正向电压为1.95至2.50 V，正向电流为20 mA，发光强度CD为0.008至0.015 CD，发光强度MCD为8至15 MCD，反向电流为100µA.有关LNJ212R82RA的更多详细信息，请参阅下文。
- SLA580BCT发光二极管ROHM Semiconductor
波长: 470 nm
来自Rohm Semiconductor的SLA580BCT是一种LED，其正向电压为3.2至3.3 V，正向电流为30 mA，发光强度CD为0.9至2.5 CD，发光强度MCD为900至2500 MCD，反向电流为100 uA.有关SLA580BCT的更多详细信息，请参阅下文。
- Lms34LED-CG发光二极管LED Microsensor NT
波长: 3300 to 3440 nm
LED MicroSensor NT的LMS34LED-CG是一款LED，电流为250 mA，正向电压为0.2至1.3 V，正向电流为10-250 mA，波长为3300至3440 nm，功率为100至300µW.有关LMS34LED-CG的更多详细信息，请参阅下文。
- LY P47K发光二极管OSRAM
波长: 587 nm
欧司朗的LY P47K是一款LED，正向电流为20 mA，波长为587 nm，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。LY P47K的更多详情见下文。
- STW8B12C发光二极管Seoul Semiconductor
波长: 666.66 nm
来自Seoul Semiconductor的STW8B12C是具有正向电压3.15V、正向电流100mA、发光强度CD 11350cd、发光强度MCD 0.01135mcd、波长666.66nm的LED.有关STW8B12C的更多详细信息，请参阅下文。
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