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下载规格书 位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。
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940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率概述
V00063是一款采用GaAs VCSEL芯片技术的半导体激光器，主要波长为940nm，提供高达4W的脉冲光输出。
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率参数
- 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C to 110°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40°C to 110°C
- 正向电流(脉冲操作) / Forward Current (Pulsed Operation) : max. 16A
- 正向电流(直流操作) / Forward Current (Direct Current Operation) : max. 6A
- 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
- 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 2kV
- 正向电压 / Forward Voltage : typ. 2.1V
- 输出功率 / Output Power : typ. 4.3W
- 阈值电流 / Threshold Current : typ. 0.7A
- 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 1.0W/A
- 电源转换效率 / Power Conversion Efficiency : typ. 41%
- 峰值波长 / Peak Wavelength : 930nm to 950nm
- 光谱带宽(FWHM) / Spectral Bandwidth (FWHM) : typ. 2nm
- 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ. 0.066nm/K
- 视场角(FWHC) / Field Of View (FWHC) : typ. 20°
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率应用
1.可能应用于高度集中的可见光和非可见光发射设备，2.根据IEC 60825-1的安全预防措施，可集成于各种光电产品。
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率特征
1.采用GaAs VCSEL芯片技术,2.940nm激光波长,3.4W脉冲输出功率,4.多模辐射剖面,5.符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2)的2kV ESD防护
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率图片集
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率规格书
940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率厂家介绍
Vixar是欧司朗（AMS Osram）的子公司，凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队，他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案，以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链，提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力，并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。
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图片名称分类制造商参数描述
- IQ1C27 Diode Laser半导体激光器Photonic Solutions Ltd.
输出功率: 27mW
对于那些需要先进温度稳定性的应用，仪器质量（IQ）系列具有精密电流源和比例积分微分（PID）环路来控制热电冷却器输出。这种卓越的温度控制使我们的IQ单元成为较苛刻应用的理想选择，包括共焦显微镜、干涉测量、拉曼光谱和流式细胞术。IQ系列模块可为9mm或5.6mm激光二极管提供高达1000mA的驱动电流，并可在恒流或自动功率控制模式下工作。每一个都允许对温度和驱动电流参数进行DVM兼容监控。IQ1C可通过微透镜二极管实现椭圆光束或圆形光束。我们的IQ2C也是可用的，它集成了变形校正棱镜以产生圆形光束。IQ1A可提供高达30MHz的模拟波束调制。我们的IQ2A也是可用的，它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。IQ1H可提供高达150MHz的数字调制。我们的IQ2H也是可用的，它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。PID温度控制回路和精密电流源连续波（CW）和数字或模拟调制选项圆形或椭圆形光束超稳定波长和输出功率
- LASER DIODE FKLD-5S-670-70X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FKLD-5S-670-70X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-670-70X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
- LDX-3315-792: 792nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 792nm输出功率: 3500mW
该792nm二极管激光器从自由空间封装中的150um发射器产生3500mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生2800mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- 131D-02E-KCT11(A)半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131D-02E-KCT11（A）是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-20至85摄氏度。有关131D-02E-KCT11（A）的更多详细信息，请参见下文。
- STK-108半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1470 nm(+/-20)输出功率: 328 w
来自Seminex公司的STK-108是波长为1470nm（+/-20）、输出功率为328W、工作电压为16.5V、工作电流为100A的激光二极管。STK-108的更多细节可以在下面看到。
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