ut5-3.5g-650激光二极管模块

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

波长: 420 to 425 nm输出功率: 0.12 W

NDV4A16E是日本Nichia公司生产的波长为420~425nm的半导体激光器，输出功率为0.12W，工作电压为5.2V，工作电流为0.1A，阈值电流为24~50mA.有关NDV4A16E的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 2004.0 nm输出功率: 0.01 W

Nanoplus公司的2004.0nm DFB激光器是波长为2004.0nm，输出功率为0.01W，工作电压为2V，工作电流为0.1A，阈值电流为10~30mA的激光二极管。2004.0nm DFB激光器的更多细节可以在下面看到。

波长: 925 to 945 nm输出功率: 0.003 W

Nanoplus公司的840nm-1100nm激光二极管，波长925-945nm，输出功率0.003W，工作电压2V，工作电流0.07A，阈值电流10-16mA.840nm-1100nm的更多细节可以在下面看到。

波长: 785 to 787 nm输出功率: 0.15 W

LUMICS的LU0786M150是一款激光二极管，波长为785至787 nm，输出功率为0.15 W，工作电压为2 V，工作电流为0.25 A，阈值电流为50 mA.有关LU0786M150的更多详细信息，请参阅下文。