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USHIO HL8337MG/HL8338MG 830nm 50mW GaAlAs激光二极管 半导体激光器

USHIO HL8337MG/HL8338MG 830nm 50mW GaAlAs激光二极管

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更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

USHIO HL8337MG/HL8338MG 830nm 50mW GaAlAs激光二极管概述

Ushio HL8337MG/HL8338MG 830nm 50mW GaAlAs半导体激光

USHIO HL8337MG/HL8338MG 830nm 50mW GaAlAs激光二极管参数

  • 中心波长 / Center Wavelength: : 830um
  • 输出功率 / Output Power: : 50mW

USHIO HL8337MG/HL8338MG 830nm 50mW GaAlAs激光二极管规格书

USHIO HL8337MG/HL8338MG 830nm 50mW GaAlAs激光二极管厂家介绍

光电公司是一家总部位于英国的公司,成立于2009年,因在全球光电市场的先进技术设计和制造方面的深入知识和经验而闻名于整个光电行业。

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图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    850L-11A: 850nm Laser (Diode; MATCHBOX 2)半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    输出功率: 130mW

    850L-1xA是Integrated Optics的850 nm低噪声二极管激光器。IO Matchbox系列包括单模激光二极管模块,在超紧凑的“一体化”驱动器集成激光头中提供卓越的性能和可靠性。850L-1xA标配内部电压上转换,允许使用5V电源,同时保持低噪声工作。Matchbox系列激光二极管模块的单片设计包括密封外壳中的热稳定光学器件,确保可靠和免维护操作。所有Matchbox系列模块都包括12个月的保修,并符合RoHS标准。850L-11A是自由空间版本,其他版本根据零件号中的变量X提供。以下是850L-1xA可用的自由空间和光纤耦合输出类型:(“X”定义模块的输出类型)。

  • 光电查
    HL40041MG Violet Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 150mW

    紫色激光二极管。

  • 光电查
    LASER DIODE FIDL-30M-690D半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 30mW

    FIDL-30M-690D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的690nm半导体激光器,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30M-690D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

  • 光电查
    LDX-3110-860: 860nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    输出功率: 1500mW

    该860nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生1500mW,或者从光纤耦合封装中的光纤产生1250mW。它具有低阈值电流和高斜率效率,这导致了增强可靠性的低工作电流。

  • 光电查
    Cs - QCW LASER DIODE半导体激光器Leonardo Electronics US

    波长: 830 to 1100 nm输出功率: 80 to 120 W

    美国Leonardo Electronics公司的CS-QCW激光二极管是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.CS-QCW激光二极管的更多细节可以在下面看到。

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