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下载规格书 传统上，高功率193纳米(nm)激光器在光刻中起着关键作用，形成了用于精确图案的系统的组成部分。然而，传统ArF准分子激光器的相干性限制阻碍了它们在需要高分辨率图案的应用中的有效性，如干涉光刻。
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Tb3Ga5O12 TGG晶体概述
TGG是一种优良的磁光晶体，用于400nm-1100nm（不包括475-500nm）范围内的各种法拉第器件（振荡器和隔离器）。
Tb3Ga5O12 TGG晶体参数
- 水晶类型 / Type Of Crystal: : TGG
- 水晶直径 / Crystal Diameter: : 1,2,2.5,3,5-102mm
- AR 涂层 / AR Coating: : Both sides
Tb3Ga5O12 TGG晶体规格书
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图片名称分类制造商参数描述
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