收藏 
下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
全部产品分类
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.625um
- 输出功率 / Output Power: : 300mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-50S-1070D半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FIDL-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S 1070D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9毫米TOCAN和TO-3窗口封装，集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光学功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。
- LASER DIODE FKLD-5S-650-50X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FKLD-5S-650-50X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-650-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。
- FPL-1550-14BF-200半导体激光器Nolatech
波长: 1550 nm输出功率: 0.2 W
诺拉泰克公司的FPL-1550-14BF-200是一种波长为1550nm、输出功率为0.2W、工作电压为2.5V、工作电流为0.4~0.6A、阈值电流为40~60mA的激光二极管。有关FPL-1550-14BF-200的更多详细信息，请参阅下文。
- D6-7-660-50-P半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 650 to 670 nm输出功率: 0.05 W
D6-7-660-50-P（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650至670 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为2.5至3 V，工作电流为0.095至0.12 A，阈值电流为55至70 mA.有关D6-7-660-50-P的更多详细信息，请参阅下文。
- NLK1U5FAAA半导体激光器NTT Electronics Corporation
波长: 1625 to 1670 nm输出功率: 0.015 W
NTT Electronics Corporation生产的NLK1U5FAAA是一款激光二极管，波长为1625至1670 nm，输出功率为15 MW，输出功率为0.015 W，阈值电流为15至20 mA，输出功率（CW）为0.015 W.NLK1U5FAAA的更多详情见下文。
相关文章
将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
麻省理工学院（MIT）的一项新研究发现，即使消除了来自外界的所有噪声，时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
紧凑型光子芯片的精确热控制：玻璃基板集成微热电冷却器（SimTEC）
光子学提供了各种优势，包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的，包括集成在光子芯片上的各种光子元件。