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概述
Seminex在红外波长提供较高的可用CW功率，并可以优化其激光芯片的设计，以满足客户的光学和电气性能规格。安装和测试二极管以满足定制应用，典型结果和封装选项如下所示。联系法兰克福激光公司了解更多详情，或进一步详细讨论您的应用。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.550um
- 输出功率 / Output Power: : 5000mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- 1310nm Swept Laser for OCT 100kHz半导体激光器Axsun Technologies
Axsun扫频激光器提供了调谐带宽、输出功率、扫频速度和相干长度的最佳平衡，使下一代扫频光学相干层析成像( SS-OCT )系统具有尖端性能。
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-600-1075nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 600mW
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- C-124-108半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1380 nm输出功率: 5.9 W
C-124-108是Seminex公司生产的波长为1380nm，输出功率为5.9W，工作电压为1.8V，工作电流为13A，阈值电流为450mA的半导体激光器。C-124-108的更多细节见下文。
- S808200MG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 808 nm输出功率: 0.2 W
Roithner Lasertechnik公司的S808200MG是波长为808 nm，输出功率为0.2 W，工作电压为1.9~1.95 V，工作电流为0.26~0.28 A，阈值电流为70~80 mA的激光二极管。有关S808200MG的更多详细信息，请参阅下文。
- D6-7-660-50-P半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 650 to 670 nm输出功率: 0.05 W
D6-7-660-50-P（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650至670 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为2.5至3 V，工作电流为0.095至0.12 A，阈值电流为55至70 mA.有关D6-7-660-50-P的更多详细信息，请参阅下文。
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