来自筑波大学的筑波能源材料科学研究中心的科学家们展示了一种简单的方法来生产离子液体微滴,这些微滴可以作为灵活、持久和可气动调节的激光器使用。
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要,我们将进一步优化InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.475um
- 输出功率 / Output Power: : 3700mW
规格书
厂家介绍
相关产品
- LASER DIODE FIDL-100M-945X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 100mW
FIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- LDX-3310-860: 860nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 3000mW
该860nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生3000mW,或者从光纤耦合封装中的光纤产生2400mW。它具有低阈值电流和高斜率效率,这导致了增强可靠性的低工作电流。
- SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on C-Mount 1490nm 7W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 7000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- V00140 895nm/894nm/795nm VCSEL;单模;窄线宽;原子钟、磁力计应用半导体激光器Vixar Inc.
波长: 895 nm输出功率: typ. 0.3mW
V00140 895nm VCSEL;现货,其他规格也有存货(如894nm/795nm/808nm),如有需要,请联系我们。单模;窄线宽; 应用:原子钟、磁力计。
- C-128半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1450 nm输出功率: 5.0 W
C-128是Seminex公司生产的波长为1450nm,输出功率为5.0W,工作电压为1.7V,工作电流为14A,阈值电流为450mA的激光二极管。C-128的更多细节可以在下面看到。
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