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下载规格书 由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
全部产品分类
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.532um
- 输出功率 / Output Power: : 4200mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FAXD-808-8W-400-HHLW半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 8000mW
FAXD-808-8W-400-HHLW是一种多模半导体8W连续输出808nm激光二极管。发射体尺寸为400µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。
- QFLD-810-10S半导体激光器QPhotonics
波长: 810.8 nm输出功率: 0 to 0.0103 W
来自Qphotonics的QFLD-810-10S是波长为810.8nm的激光二极管，输出功率为0至0.0103W，工作电压为1.65V，工作电流为0.069至0.069A，阈值电流为51mA.有关QFLD-810-10S的更多详细信息，请参阅下文。
- C-102半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1475 nm输出功率: 3.7 W
C-102是Seminex公司生产的波长为1475nm，输出功率为3.7W，工作电压为1.5V，工作电流为8A，阈值电流为450mA的激光二极管。C-102的更多细节可以在下面看到。
- SLD333V半导体激光器Sony Semiconductor Solutions Corporation
波长: 790 to 840 nm输出功率: 1 W
Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至3 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息，请参见下文。
- IND02L300D102半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 1286.66 nm
来自II-VI Incorporated的IND02L300D102是波长为1286.66nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L300D102的更多详细信息，请参阅下文。
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