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下载规格书 拉比振荡被提出来描述暴露在振荡驱动场下的两级量子系统中的强耦合和群体转移。
全部产品分类
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.570um
- 输出功率 / Output Power: : 2000mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 488nm BDL-SMN Picosecond / CW Diode Laser半导体激光器Becker & Hickl GmbH
由Becker Hickl-BH设计和制造，提供波长从NUV到NIR的多个皮秒二极管激光器。所有激光器都具有简单的+12V电源、高重复率、短脉冲宽度和极低的电噪声水平。完整的驱动器电子设备集成在激光模块中。所有BH二极管激光模块均与BH TCSPC模块直接兼容。
- LASER DIODE SOURCE FOSS-01-3S-4/125-635-S-1半导体激光器OZ Optics
波长: 635nm输出功率: 1mW
OZ Optics生产各种波长的光纤激光二极管光源。插座样式的源提供了广泛的插座，而尾纤式光源提供保偏、单模或多模光纤输出选择。每个信号源的前面板上都有一个低电量指示灯。
- EYP-DFB-0760-00010-1500-BFY02-0x0x半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 760 nm输出功率: 0.002 to 0.01 W
Toptica Eagleyard的EYP-DFB-0760-00010-1500-BFY02-0x0X是一款激光二极管，波长760 nm，输出功率0.002至0.01 W，工作电压0.8 V，阈值电流70 mA，输出功率（CW）0.002至0.01 W.有关EYP-DFB-0760-00010-1500-BFY02-0x0X的更多详细信息，请参见下文。
- HL6361MG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 630 to 643 nm输出功率: 0.025 W
Ushio公司的HL6361MG是波长为630至643nm的激光二极管，输出功率为0.025W，工作电压为2.3至2.5V，工作电流为0.065至0.08A，阈值电流为45至60mA.有关HL6361MG的更多详细信息，请参阅下文。
- 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）半导体激光器Vixar Inc.
波长: 795 nm输出功率: 0.13 mW输出功率: typ. 0.13mW
来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。
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由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。