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下载规格书 激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
全部产品分类
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.465um
- 输出功率 / Output Power: : 2600mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- Cobolt 05-01 Rumba™ CW diode pumped laser半导体激光器HÜBNER Photonics
输出功率: 3000mW
Cobolt 05-01系列激光器是连续波二极管泵浦激光器（DPL），工作波长在355 nm和1064 nm之间。这些激光器采用专有的HTCURE™制造技术制造，在紧凑的密封封装中具有超高的坚固性。激光器发射非常高质量的激光束，在宽范围的操作条件下具有稳定的特性。单频操作提供了窄的光谱带宽和长的相干长度。激光器的设计和制造确保了高水平的可靠性。
- Eblana Photonics Laser Diode EP1512-DM-TP39 1512nm 0.01W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
EP1512-DM-TP39定制激光二极管模块是一款高性价比、高相干激光源。应变多量子阱分立模式（DM）激光二极管芯片封装在工业标准密封TO39罐中，集成了热电冷却器（TEC）和热敏电阻。
- Intense 793nm Pump 20W半导体激光器Intense Limited
波长: 805 to 811 nm输出功率: 30 to 35 W
来自Intense Limited的强793nm泵浦20W是波长为805至811nm的激光二极管，输出功率为30至35W，工作电压为11.5至12.5V，工作电流为7A.下面可以看到强793nm泵浦20W的更多细节。
- D4-7-405-120半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 400 to 410 nm输出功率: 0.12 W
D4-7-405-120是EGISMOS技术公司生产的激光二极管，波长400~410nm，输出功率0.12W，工作电压6V，工作电流0.1~0.15A，阈值电流40~60mA.有关D4-7-405-120的更多详细信息，请参阅下文。
- M5-808-0500-0XX半导体激光器Sheaumann Laser
波长: 808 nm输出功率: 500 mW
来自Sheaumann Laser的M5-808-0500-0xx是波长为808 nm、输出功率为500 MW、工作电压为1.9至2.2 V、工作电流为540至600 mA的激光二极管。有关M5-808-0500-0xx的更多详细信息，请参阅下文。
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