带前置放大器和玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-03-PA-CG

A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺，可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外，该产品线较大限度地降低了维护成本，并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用，包括工业、环境和医疗应用，都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度，满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

高速InGaAs光电二极管

光电二极管PD 25-10被设计用于检测从1000到2500nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电探测器类型: PIN波长范围: 1310 to 1550 nm

来自Spectrolab的InGaAs/p-I-n 10Gb芯片是一款光学探测器，波长范围为1310至1550 nm，暗电流为0.1至0.2 nA，电容为0.2至0.30 PF，响应度/光敏度为0.90至1 A/W，有效面积直径为25µm.InGaAs/P-I-N 10Gb裸片的更多详情见下文。