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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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欧司朗激光二极管PL450B概述
欧司朗激光二极管是极其紧凑和高效的激光二极管，在较宽的温度范围内提供低光束发散度、长寿命和出色的稳定性。作为一家创新的激光二极管制造商，欧司朗继续投资于研发，并定期增加其激光二极管系列，以满足越来越多的应用需求。欧司朗提供较新的激光二极管技术以及高可靠性和有竞争力的价格。凭借二十多年的激光二极管技术经验，Prophotonix拥有丰富的经验和专业知识，可为您提供技术支持，为您的应用选择较佳激光二极管。
欧司朗激光二极管PL450B参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.450um
- 输出功率 / Output Power: : 120mW
欧司朗激光二极管PL450B规格书
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图片名称分类制造商参数描述
- 650nm 1W Laser Diode半导体激光器ELK Industries, LLC
输出功率: 1000mW
Elk Industries提供多种激光二极管。
- HL8340MG-41MG Laser Diode半导体激光器PD-LD Inc
输出功率: 50mW
HL8340MG/41MG砷化镓激光二极管
- ML520G72半导体激光器Mitsubishi Electric
波长: 632 to 644 nm输出功率: 0.0005 to 0.001 W
来自Mitsubishi Electric的ML520G72是波长为632至644nm、输出功率为0.0005至0.001W、工作电压为1.9至2.6V、工作电流为0.5至0.8A、阈值电流为90至210mA的激光二极管。有关ML520G72的更多详细信息，请参阅下文。
- HPC 50W半导体激光器II-VI Incorporated
II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管，工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W，功率转换效率超过60%，斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm，在FWHM处的光束发散角为5.5度（平行）和26度（垂直）。它的填充因子为18%，波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极，发射极间距为500μm，发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范，具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下，专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤（COD）。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率，特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上，采用传导冷却的铜块封装，在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装，非常适合材料加工（焊接、切割等）、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。
- P35940S2K003半导体激光器Vertilite
输出功率: 7 to 7.5 W
Vertilite的P35940S2K003是一款激光二极管，波长为930 nm、940 nm、950 nm，输出功率为7至7.5 W，工作电压为4.3至5.3 V，工作电流为3.5 A.有关P35940S2K003的更多详细信息，请参见下文。
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