单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2024-04-19 14:40:59
概述
LRD-0635系列准直二极管(半导体)激光器非常适合需要635 nm波长和5 MW至5 W宽范围输出功率水平的应用,具有高水平的长期输出功率稳定性和较长的工作寿命,并且成本极具竞争力。这些激光器通常用于涉及生物研究的各种科学应用,以及PIV、光谱分析、激光显示(娱乐)和其他广泛的应用。该驱动器可作为一个完整的符合FDA标准的系统或作为一个尺寸显著减小的O.E.M.组件。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
波长: 785nm输出功率: 5mW
单模光纤耦合激光二极管。
波长: 760 to 830 nm输出功率: 100 to 300 W
美国Leonardo Electronics的S6是激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为2.1 V,工作电流为85至120 A,阈值电流为7000至10000 mA.S6的更多细节可以在下面看到。
波长: 1000 to 1025 nm输出功率: 2 W
Sacher Lasertechnik的TPA-1010-2000是一款激光二极管,波长为1000至1025 nm,输出功率为2 W,输出功率(CW)为2 W.TPA-1010-2000的更多详细信息见下文。
波长: 1550 nm输出功率: 0 to 0.01 W
来自Denselight Semiconductors的DL-CLS101B-S1550是波长为1550 nm、输出功率为0至0.01 W、工作电压为1.5至3 V、工作电流为0.1至0.12 A、输出功率(连续波)为0至0.01 W的激光二极管。
波长: 633 to 643 nm输出功率: 15 mW
来自Quantum Semiconductor International的QL63G5SA/B/C-R1是波长为633至643 nm的激光二极管,输出功率为15 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为60至70 mA.有关QL63G5SA/B/C-R1的更多详细信息,请参见下文。
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