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下载规格书 半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
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线性激光模块FD6806550A概述
我们致力于为客户提供较高质量的产品，确保其性能、一致性、安全性和价值。我们提供一系列采用高质量激光二极管、光学器件、驱动电路和外壳设计的激光模块。我们还与供应商密切合作，确保所有材料符合全球市场趋势。
线性激光模块FD6806550A图片集
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图片名称分类制造商参数描述
- 785L-15A: 785nm 130mW Laser (Diode; MATCHBOX 2)半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 785nm输出功率: 130mW
785nm二极管激光器被光纤耦合到单模保偏光纤。它可以提供高达130mW的光功率，并具有不低于20dB的偏振对比度。金属纤维护套使这款激光器在各种应用中都非常坚固可靠。
- LASER DIODE FIDL-250M-915X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 250mW
FIDL-250M-915X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-915X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- STK-119半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1550 nm(+/-20)输出功率: 376 W
来自Seminex公司的STK-119是波长为1550nm（+/-20）、输出功率为376W、工作电压为22V、工作电流为100A的激光二极管。STK-119的更多细节可以在下面看到。
- RLD65PZX3半导体激光器ROHM Semiconductor
波长: 650 to 664 nm输出功率: 0 to 0.012 W
Rohm Semiconductor的RLD65PZX3是波长为650至664 nm的激光二极管，输出功率为0至0.012 W，工作电压为2.3至2.7 V，工作电流为0.025至0.035 A，阈值电流为25至35 mA.有关RLD65PZX3的更多详细信息，请参阅下文。
- TBD5XX4半导体激光器Teradian
输出功率: 2 to 3 mW
Teradian公司的TBD5xx4是一种激光二极管，波长为1290、1310、1330 nm、1530、1550、1570 nm，输出功率为2至3 MW，输出功率为2至3 MW，工作电流为40 mA.有关TBD5xx4的更多详细信息，请参阅下文。
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单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。