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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
全部产品分类
概述
FVLD-473-1000M是一款多模激光二极管，功率为1000mW。473nm连续输出功率。它以9毫米到罐的形式提供。带齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.478um
- 输出功率 / Output Power: : 1000mW
图片集
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- EYP-RWL-1080-00080-0750-SOT01-0000 GaAs Semiconductor Laser Diode半导体激光器eagleyard Photonics GmbH
输出功率: 90mW
1080 nm法布里-珀罗激光器，密封SOT外壳，监控二极管。
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-670-1085nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 670mW
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- LD-0780-0080-DFB-2半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 779.6 nm输出功率: 0.08 W
Toptica Photonics的LD-0780-0080-DFB-2是一款激光二极管，波长为779.6 nm，输出功率为0.08 W，输出功率（CW）为0.08 W.有关LD-0780-0080-DFB-2的更多详细信息，请参见下文。
- NV4V31MF半导体激光器CEL
波长: 400 to 415 nm输出功率: 0 to 0.175 W
CEL的NV4V31MF是一款激光二极管，波长为400至415 nm，输出功率为175 MW，输出功率为0至0.175 W，阈值电流为35至55 mA，工作温度为-5℃至85℃。有关NV4V31MF的更多详细信息，请参见下文。
- QL63D4SA/B/C半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 635 nm输出功率: 5 mW
Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管，工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装，非常适合光学水平仪和激光指示器应用。
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