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下载规格书 激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
全部产品分类
概述
FVLD-395-120S是单模激光二极管，功率为120mW395nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.4um
- 输出功率 / Output Power: : 140mW
图片集
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- DL-CLS309D-S1260 Ultra Narrow Linewidth Laser半导体激光器DenseLight Semiconductors
DenseLight DL-CLS系列是采用BTF/DIL封装的冷却型超窄线宽激光器，具有单频发射功能。该激光器基于利用内置光纤布拉格光栅的专有外腔激光器设计。建成的激光波长可以精确到1nm，并且可以通过对内部冷却器温度或驱动电流进行微调来实现更高的精度（低至皮米范围）。该设备可以进行高达622Mbps的强度调制。高速频率调制可以通过直接调制其驱动电流来实现。
- FARL-5S-650-TO56-70°-P LASER DIODE 650nm 5mW半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FARL-5S-650-TO56-70°-P激光二极管650nm 5mW。
- FDL-850-3W-TAL半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 3000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- VLM-650-03 CPA Economical Laser半导体激光器Quarton Inc
输出功率: 2.5mW
VLM-635/650-03系列经济型激光器
- APA4301040002半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 1.4 to 2.2 mW
来自II-VI Incorporated的APA4301040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.4至2.2mW，工作电压为1.9至2.1V，阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301040002的更多详细信息，请参阅下文。
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