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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
概述
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.260um
- 输出功率 / Output Power: : 400mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- JOLD-45-CPXF-1L: 915nm Fiber Coupled Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 915nm输出功率: 45000mW
JOLD-45-CPXF-1L是一款光纤耦合多模激光二极管阵列，可选择808nm、880nm、915nm、940nm和976nm波长，CW输出功率高达45W，通过400µm纤芯直径光纤传输。该二极管阵列配有集成先导激光器、功率监测器和内部光纤检测器（联锁）。JOLD-45-CPXF-1L采用传导冷却，专为医疗应用而设计。
- LASER DIODE FKLD-50S-660-75X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FKLD-50S-660-75X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-50S-660-75X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。
- ARR134P3200半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 200 W
Northrop Grumman公司的ARR134P3200是一种激光二极管，波长为808 nm，输出功率为200 W，工作电压为32 V，工作电流为175 A，阈值电流为15000 mA.有关ARR134P3200的更多详细信息，请参阅下文。
- ARR190P900半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 100 W
Northrop Grumman公司的ARR190P900是一种激光二极管，波长为808 nm，输出功率为100 W，工作电压为16.2 V，工作电流为95 A，阈值电流为15000 mA.有关ARR190P900的更多详细信息，请参阅下文。
- ALC-690-1100-FB半导体激光器AKELA Laser Corporation
波长: 690 nm输出功率: 1.1 W
ALC-690-1100-FB是由Akela Laser Corporation生产的激光二极管，其波长为690 nm，输出功率为1.1 W，工作电压为2.3 V，工作电流为1.6 A，阈值电流为650 mA.有关ALC-690-1100-FB的更多详细信息，请参阅下文。
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