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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
概述
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.905um
- 输出功率 / Output Power: : 10mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 1344-1356 uniMir : Single Mode DFB QCL / Broadband Fabry Perot QCL半导体激光器mirSense
输出功率: 5mW
Unimir产品线提供4µm–10µm（2500 cm-1–1000 cm-1）的单模量子级联激光器（单模DFB QCL）或宽带激光器（Fabry Perrot）。Unimir激光器在室温下工作，没有低温系统，以脉冲或连续波发射。
- LASER DIODE FIDL-10S-895X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FIDL-10S-895X是895nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。25°C下的预期寿命超过50000小时。FIDL-10S-895X是CW单模注入半导体激光二极管与内置监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- IND02N300D104半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 4 mW
II-VI公司的IND02N300D104是一种激光二极管，波长为1281.25 nm、1282.26 nm、1283.27 nm，输出功率为4 MW，工作电压为1.6 V，阈值电流为15 mA.有关IND02N300D104的更多详细信息，请参阅下文。
- D6-7-650-5-N半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 650 nm输出功率: 0 to 0.005 W
D6-7-650-5-N是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.5V，工作电流为32~40mA，阈值电流为24~30mA.有关D6-7-650-5-N的更多详细信息，请参阅下文。
- LD-635-15I半导体激光器Lasermate Group
波长: 630 to 640 nm输出功率: 17 mW
Lasermate集团的LD-635-15I是一种激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为17 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为65至80 mA.有关LD-635-15I的更多详细信息，请参阅下文。
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