收藏 
下载规格书 《Opto-Electronic Science》发表了一篇新文章，回顾了光学纳米粒子的基本原理和应用。光学纳米粒子是光子学的关键要素之一。它们不仅能对大量系统（从细胞到微电子学）进行光学成像，还能充当高灵敏度的远程传感器。
全部产品分类
激光二极管FIDL-1000M-980X概述
激光二极管FIDL-1000M-980X参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.980um
- 输出功率 / Output Power: : 1000mW
激光二极管FIDL-1000M-980X规格书
激光二极管FIDL-1000M-980X厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- FDL-920-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- ARR97C040 - 1半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 40 W
Northrop Grumman公司的ARR97C040-1是一种波长为808nm的激光二极管，输出功率为40W，工作电压为1.7V，工作电流为47A，阈值电流为12000mA.有关ARR97C040-1的更多详细信息，请参见下文。
- I0808SB0050PA半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 808 nm输出功率: 0.05 W
Innovative Photonic Solutions的I0808SB0050PA是一款激光二极管，波长808 nm，输出功率0.05 W，工作电压2.2 V，工作电流0.2 A，输出功率（CW）0.05 W.有关I0808SB0050PA的更多详细信息，请参见下文。
- DL-CLS081B-S1653半导体激光器DenseLight Semiconductors
波长: 1653 nm输出功率: 0 to 0.008 W
来自Denselight Semiconductors的DL-CLS081B-S1653是一款激光二极管，波长为1653 nm，输出功率为0至0.008 W，工作电压为2 V，工作电流为0至0.1 A，输出功率（CW）为0到0.008 W.有关DL-CLS081B-S1653的更多详细信息，请参见下文。
- CM01-3-808半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 808 nm输出功率: 3 W
CM01-3-808是阿波罗仪器公司（Apollo Instruments，Inc.）生产的波长为808nm、输出功率为3W、工作电压为2V、工作电流为3.4A、阈值电流为800mA的激光二极管。有关CM01-3-808的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
光学参数振荡器optical parametric oscillator（OPO）是一种像激光一样的相干光源，但使用的是非线性晶体中的光学放大过程，而不是受激发射。由于
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。