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下载规格书 单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
全部产品分类
概述
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.900um
- 输出功率 / Output Power: : 1000mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FLX-780-3000M-150半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 3000mW
FLX-780-3000M-150是一款多模半导体激光器。在780nm波长下连续输出3000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
- LU0786M250 786nm Single Mode Laser Module半导体激光器Lumics GmbH
波长: 786nm输出功率: 250mW
LUMICS LU0786M250激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。它专为客户的特定应用而设计，并提供特殊的FBG和光纤。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并与一组指定的测试数据一起装运。
- IND02L200D102半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 1282.26 nm波长: 见下表
来自II-VI Incorporated的IND02L200D102是波长为1282.26nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L200D102的更多详细信息，请参阅下文。
- 840 nm - 1100 nm半导体激光器nanoplus
波长: 925 to 945 nm输出功率: 0.003 W
Nanoplus公司的840nm-1100nm激光二极管，波长925-945nm，输出功率0.003W，工作电压2V，工作电流0.07A，阈值电流10-16mA.840nm-1100nm的更多细节可以在下面看到。
- LU0786M150半导体激光器Lumics
波长: 785 to 787 nm输出功率: 0.15 W
LUMICS的LU0786M150是一款激光二极管，波长为785至787 nm，输出功率为0.15 W，工作电压为2 V，工作电流为0.25 A，阈值电流为50 mA.有关LU0786M150的更多详细信息，请参阅下文。
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