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下载规格书 将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
全部产品分类
激光二极管 faxd-915-200s-bt概述
FAXD-915-200S-BT是光纤耦合单模连续输出功率为200mW的半导体激光器915nm。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。
激光二极管 faxd-915-200s-bt参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.915um
- 输出功率 / Output Power: : 200mW
激光二极管 faxd-915-200s-bt规格书
激光二极管 faxd-915-200s-bt厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FNLD-50S-1082A半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FNLD-50S-1082A是用MOCVD半导体激光器制备的1082nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1080A是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- CS mount 1060 nm半导体激光器Monocrom
波长: 1040 to 1080 nm输出功率: 40 to 200 W
来自MonoCrom的CS Mount 1060 nm是波长为1040至1080 nm、输出功率为40至200 W、输出功率为40至200 W、工作电流为45至230 A的激光二极管。CS Mount 1060 nm的更多细节可参见下文。
- S4半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 760 to 830 nm输出功率: 100 to 300 W
来自美国Leonardo Electronics的S4是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.S4的更多细节可以在下面看到。
- ML1009半导体激光器Modulight, Inc.
波长: 1590 to 1650 nm输出功率: 0.18 W
来自Modulight，Inc.的ML1009是波长为1590至1650nm、输出功率为0.18W、工作电压为1.2至2V、工作电流为750至900mA、阈值电流为45mA的激光二极管。有关ML1009的更多详细信息，请参阅下文。
- GCSLX-B10-003-2半导体激光器Kryptronic Technologies
波长: 665 nm输出功率: 3 W
Kryptronic Technologies的GCSLX-B10-003-2是一款激光二极管，波长为665 nm，输出功率为3 W，工作电压为8.4 V，工作电流为1.3 A.GCSLX-B10-003-2的更多详细信息可在下面查看。
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